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热销产品： 管式炉 真空炉 气氛炉 箱式炉 CVD/PECVD
最高温度：1700℃ 真 空 度：10pa~10⁻³Pa 工艺应用：适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、ZnO纳米结构的可控生长等。
最高温度：1700℃ 真 空 度：10pa~10⁻³Pa 工艺应用：用于沉积SiO2薄膜、Si3N4薄膜以及炭纳米管、石墨烯生长等。
CVD化学气相沉积系统
PECVD化学气相沉积系统
