氮化硅烧结炉

工艺应用：主要用于氮化硅陶瓷球、轴承、导热基板、平台、导轨、刀具、结构件等。

最高温度：≤2400℃

工作温度：

真空度：5Pa

温度均匀性：±5℃

温控精度：±1℃

可通气氛：

可编程段：

压升率：≤0.67pa/h

可选型号：

材质：

气路通道：

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产品简介

这款真空炉主要用于半导体领域的陶瓷制品的真空烧结和分压烧结等，可选配脱脂系统，实现陶瓷制品的脱脂烧结一次性处理；料车可横向移动，方便操作人员进行装料和卸料操作；充放气系统可供用户精确调节气体流量；满足不同氮化硅材料和制品的烧结需求。

优势特点

具有超温超压等故障报警，机械式自动压力保护，动作互锁等功能，设备安全性高。

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加热元件布置合理、辐射面积大，寿命长，可采用多区温度控制，确保温区内良好的炉温均匀性。

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精确控制温度、真空度、气氛等工艺参数，满足不同氮化硅材料和制品的烧结需求，保证产品质量的一致性和稳定性。

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具备真空烧结、分压烧结、负压脱脂烧结、微正压烧结等功能；可选配脱脂系统，实现陶瓷制品的脱脂烧结一次性处理。

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技术参数

以上参数可根据工艺要求进行调整，不作为验收依据，具体以技术方案和协议为准。