2024/10/30
案例简介
客户名称：大连某化工研究所
设备名称：CVD
工作温度：≤1100℃
设备用途：碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
设备介绍
此款CVD气相沉积系统的工作温度为300℃至1200℃，配备真空泵，气体混合装置。采用了温度控制系统，高温精度，出色的气体流量精度，易于操作，有非常好的隔热效果和温度均匀性。该CVD管式炉适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
CVD设备客户现场实拍图
