最高温度：≤1200℃;≤1400℃;≤1700℃
工作温度：≤1100℃;≤1300℃;≤1600℃
真空度：极限真空度6.67*10-3pa
温控精度：±1℃
可通气氛：多种惰性气氛和还原气氛
可编程段：30段
可选型号：单温区CVD，单温区PECVD,多温区CVD，多温区PECVD
材质：
气路通道：
在线咨询客服18137195607化学气相沉积系统（CVD）
CVD系统主要由回转式管式炉，真空系统，气体混合装置，控制系统组成。采用了PID温度控制系统，高温精度，出色的气体流量精度，易于操作，有非常好的隔热效果和温度均匀性。 主要用于高校，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。
等离子化学气相沉积系统（PECVD）
PECVD设备由回转式管式炉、等离子射频电源、真空系统和气路系统和控制系统组成。它可以混合1-6种气体用于PECVD或扩散。该系统通过射频电源将真空室中的气体改变为离子状态，等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。PECVD淀积的薄膜具有良好的电学性能、良好的衬底附着性以及非常好的台阶覆盖性，主要用于石墨烯生长、二维材料生长、碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
| 名称 | 回转式CVD/PECVD | ||
| 型号 | HL-CVD1200X/HL-PECVD1200X | HL-CVD1400X/HL-PECVD1400X | HL-CVD1700X/HL-PECVD1700X |
| 最高温度 | 1200℃ | 1400℃ | 1700℃ |
| 工作温度 | 1100℃ | 1300℃ | 1600℃ |
| 加热元件 | 电阻丝 | 硅碳棒 | 硅钼棒 |
| 热电偶 | N型 | S型 | B型 |
| 炉管外径 | φ50~φ150mm | φ50~φ100mm | φ50~φ100mm |
| 加热区长度 | 200~440mm | 300~440mm | 300~440mm |
| 温区数量 | 单温区/多温区，根据客户需求选择 | ||
| 其他尺寸可按客户需求定制 | |||
| 旋转速度 | 2-5转/分钟（转速可调） | ||
| 倾斜角度 | 0-10°（角度可调） | ||
| 控温方式 | PID控制和自整定调节，智能化30段可编程 | ||
| 温控保护 | 超温和断偶保护功能 | ||
| 加热速率 | 建议0~10°C/min | ||
| 温控精度 | ±1℃ | ||
| 工作电源 | 220/380V,50HZ( 按需求定制) | ||
| 炉膛材质 | 高纯氧化铝耐火纤维 | ||
| 炉壳结构 | 碳钢外壳，双层壳体并配有风冷系统 | ||
| 炉体结构 | 卧式，可选上开启式炉门/密封炉门 | ||
| 真空系统 | 旋片泵/扩散泵/分子泵（可选配） | ||
| 极限真空度 | ≤6.67* 10-3Pa（空炉，冷态，经净化） | ||
| 流量计 | 浮子流量计/质子流量计，可选 | ||
| 冷却系统（选配） | 水冷机 | ||
| 其他可选配置 | 触摸屏，远程操作，电脑显示 | ||
| 尺寸（炉管外径*加热区长度） | HL-CVD1200X/HL-PECVD1200X型 | HL-CVD1400X/HL-PECVD1400X型 | HL-CVD1700X/HL-PECVD1700X型 |
φ50*200mm φ50*300mm φ80*300mm φ100*300mm φ100*440mm φ120*300mm φ120*440mm φ150*440mm | φ50*300mm φ80*300mm φ100*300mm φ100*440mm | φ50*300mm φ80*300mm φ100*300mm φ100*440mm | |
变径管 φ25-50-25*200mm φ25-50-25*300mm φ50-80-50*300mm φ60-100-60*300mm φ60-100-60*440mm φ80-120-80*300mm φ80-120-80*440mm φ80-150-80*440mm | / | / | |
| 其他尺寸可按客户需求定制 | |||
