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氮化硅烧结炉

设备概况

氮化硅烧结炉是专为氮化硅陶瓷材料设计的高温高压设备,通过精准控制温度、气压和气氛环境,实现材料的致密化烧结。

基本参数

最高温度:2400℃ 工作温度:≤2400℃ 真 空  度:5Pa 材      质: 均 温  性: 压 升  率:≤0.67pa/h 控温精度: 适用物料: 工艺应用:用于氮化硅陶瓷的致密化烧结。

在线客服咨询热线:18137195607
产品介绍
       氮化硅真空烧结炉主要用于半导体领域的陶瓷制品的真空烧结和分压烧结等,可选配脱脂系统,实现陶瓷制品的脱脂烧结一次性处理;料车可横向移动,方便操作人员进行装料和卸料操作; 充放气系统可供用户精确调节气体流量;  满足不同氮化硅材料和制品的烧结需求。

 Bqr河南鸿炉机械

产品优势
成品烧结效果好

加热元件布置合理、辐射面积大,寿命长,可采用多区温度控制,确保温区内良好的炉温均匀性。

扩展性强,可实现多种工艺

可具备真空烧结、分压烧结、负压脱脂烧结、微正压烧结等功能;可选配脱脂系统,实现陶瓷制品的脱脂烧结一次性处理。

多重安全防护功能

配有温度、压力、水压、真空等连锁功能,具备高度安全的保护及预防功能。

自动化精准控制

精确控制温度、真空度、气氛等工艺参数,满足不同工艺的烧结需求,保证产品质量的一致性和稳定性。

技术参数
型号

有效加热区尺寸

宽*高*深(mm)

最高温度(℃) 极限真空度(pa) 温度均匀性(℃) 压升率(pa/h) 装载量 (kg)
HL-V2400-12W 200*200*300 2400 5 ±5 0.67 30

HL-V2400-36W

300*300*400

2400

5

±5

0.67 50

HL-V2400-96W

400*400*600

2400

5

±5 0.67 120

HL-V2400-175W

500*500*700

2400

5

±5 0.67 200
HL-V2400-324W

600*600*900

2400

5

±5 0.67 300

 

以上参数可根据工艺要求进行调整,不作为验收依据,具体以技术方案和协议为准。

 

定制服务
  • 炉膛材质

    炉膛材料分为氧化铝陶瓷纤维、石墨、金属钼屏等,根据客户的不同需求,可以选择需要的炉膛材质。

  • 炉膛尺寸

    从小型(如300×200×200mm)到大型(如800×800×800mm)均可灵活调整,也可根据特殊需求制作异形炉膛。

  • 气氛条件

    气氛条件一般可通气氛为氮气、氩气等惰性气体,如果需要通入气体,可以单独设计气体进出口。

  • 真空环境

    利用不同的真空泵组合,可实现从低真空(10⁻¹-10⁻² Pa)到高真空(10⁻³Pa)的精确控制。

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