碳化硅反应烧结炉是专为碳化硅(SiC)陶瓷及其复合材料设计的高温烧结设备,通过真空或惰性气氛环境下的化学反应与物理过程,实现粉末材料的致密化烧结。
基本参数最高温度:1800℃ 工作温度:≤1800℃ 真 空 度:5Pa 压 升 率:≤0.67pa/h 工艺应用:专为碳化硅(SiC)陶瓷及其复合材料设计的真空烧结设备。
在线客服咨询热线:18137195607加热元件布置合理,辐射面积大,优化的加热室结构,升温快,保温效果好,节能降耗。
双级压力保护,适应不同压力异常情况,降低了因单一保护装置失效而导致安全事故的风险,提高了整个系统的可靠性和稳定性。
集成快速冷却,提高生产效率; 多种冷凝补集方式,延长真空泵寿命。
可制定一拖二结构,可以利用两个炉体同时进行不同工艺参数或不同材料的实验研究,提高科研效率和数据的对比性。
型号 |
有效加热区尺寸 宽*高*深(mm) |
最高温度(℃) | 极限真空度(pa) | 温度均匀性(℃) | 压升率(pa/h) | 装载量 (kg) |
HL-V1800-936W |
600*600*2600 |
1800 |
5 |
±5 |
0.67 | 600 |
HL-V1800-1260W |
600*600*3500 |
1800 |
5 |
±5 | 0.67 | 800 |
HL-V1800-1470W |
700*700*3000 |
1800 |
5 |
±5 | 0.67 | 1000 |
HL-V1800-1960W |
700*700*4000 |
1800 |
5 |
±5 | 0.67 | 1200 |
HL-V1800-2200W |
700*700*4500 |
1800 |
5 |
±5 | 0.67 | 1500 |
以上参数可根据工艺要求进行调整,不作为验收依据,具体以技术方案和协议为准。
炉膛材料分为氧化铝陶瓷纤维、石墨、金属钼屏等,根据客户的不同需求,可以选择需要的炉膛材质。
从小型(如300×200×200mm)到大型(如800×800×800mm)均可灵活调整,也可根据特殊需求制作异形炉膛。
气氛条件一般可通气氛为氮气、氩气等惰性气体,如果需要通入气体,可以单独设计气体进出口。
利用不同的真空泵组合,可实现从低真空(10⁻¹-10⁻² Pa)到高真空(10⁻³Pa)的精确控制。